沉積機制

聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam，簡稱FIB)電路修改，原理是利用鎵離子撞擊樣品表面，搭配有機氣體進行有效的選擇性蝕刻(切斷電路)、沉積導體或非導體(新接電路)。

5奈米晶片FIB電路修補 到底難在哪?MIM電容元件 漏電，用這五步驟，速找異常點先進製程的IC，該如何從晶背進行FIB電路修補?

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  電路修改(FIB circuit)

  藉由FIB，即可提供IC設計者修改IC電路，無需重複改光罩重下IC，不僅可降低經費，更可加速IC設計原型(Prototype)的驗證與上市時間(Time-to-market)。

  點針墊偵錯 (CAD Probe Pad)

  在IC上做訊號擷取點，藉由FIB將IC設計者欲量測的訊號點拉到IC表面，並利用機械式探針(Mechanical Prober) 擷取IC內部訊號。

  晶背電路修改

  隨著覆晶封裝基材限制，與先進製程演持續進到5nm，金屬繞線層增加以及更為複雜緊密的電路佈局，從晶背(Silicon)進行將提升可行性與成功率。